华业天成资本半导体赛道投资项目英诺赛科（苏州）科技有限公司获得近30亿元的D轮融资，由钛信资本牵头，毅达资本，海通创新基金，中比基金，赛富高鹏，招证投资等机构纷纷跟投。 

英诺赛科于2015年成立，是第三代半导体硅基氮化镓领域全球龙头，也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。英诺赛科技术处全球第一梯队，产能国内第一，消费级市场中快充产品已领先于市场快速放量，未来数据中心、5G基站、新能源汽车等市场将持续接力构成公司增长曲线。

英诺赛科是跻身全球氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头。英诺赛科通过自主研发，攻克8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。在非常短的时间内，英诺赛科打破了美国技术垄断，实现国产氮化镓芯片的崛起。根据Trendforce 2021年数据，英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率一举攀升至20%，跃升为全球第三。